場效應管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。FET英文為FieldEffectTransistor，簡寫成FET。

1.場效體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管5261要有兩種類4102型(junctionFET-JFET)和-氧化物1653半導體場效應管(metal-oxidesemiconductorFET，簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(10~10Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

2.場效應晶體管于1925年由JuliusEdgarLilienfeld和于1934年由OskarHeil分別發明，但是實用的器件一直到1952年才被制造出來（結型場效應管）。1960年DawanKahng發明了金屬氧化物半導體場效應晶體管，從而大部分代替了JFET，對電子行業的發展有著深遠的意義。

3.2E3CNMOSGDS開關600V11A150W0.36,2SJ117PMOSGDS音頻功放開關400V2A40W,2SJ118PMOSGDS高速功放開關140V8A100W50/70nS0.5,2SJ122PMOSGDS高速功放開關60V10A50W60/100nS0.15,2SJ136PMOSGDS高速功放開關60V12A40W70/165nS0.3,2SJ143PMOSGDS功放開60V16A35W90/180nS0.032SJ172PMOSGDS激勵60V10A40W73/275nS0.18.